牌号简介 About |
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Titalon® 1C00EGT是一种聚酰胺6(尼龙6)材料,。 该产品在亚太地区有供货,加工方式为:注射成型。 Titalon® 1C00EGT的主要特性为:阻燃/额定火焰。 |
技术参数 Technical Data | |||
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物理性能 PHYSICAL |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
密度 Density |
1.70 | g/cm³ | ISO 1183 |
收缩率 Shrinkage rate 2 |
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3.0 mm 3.0 mm |
0.70 到 1.1 | % | |
机械性能 MECHANICAL |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
拉伸应力 Tensile stress |
58.0 | MPa | ISO 527-2 |
拉伸应变 Tensile strain |
|||
断裂 fracture |
> 2.0 | % | ISO 527-2 |
弯曲模量 Bending modulus |
7800 | MPa | ISO 178 |
弯曲应力 Bending stress |
MPa | ISO 178 | |
冲击性能 IMPACT |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
简支梁缺口冲击强度 Charpy Notched Impact Strength |
kJ/m² | ISO 179-1eA | |
热性能 THERMAL |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
热变形温度 Hot deformation temperature |
|||
1.8 MPa,未退火 1.8 MPa, unannealed |
℃ | ISO 75-2/A | |
导热系数 Thermal conductivity coefficient |
|||
-- -- 3 |
W/m/K | ||
-- -- 4 |
W/m/K | ||
电气性能 Electrical performance |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
表面电阻率 Surface resistivity |
ohms | IEC 60093 | |
体积电阻率 Volume resistivity |
ohms·cm | IEC 60093 | |
阻燃性能 FLAME CHARACTERISTICS |
额定值 Nominal Value |
单位 Units |
测试方法 Test Method |
阻燃等级 Flame retardant level |
UL 94 |
备注 |
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2、50x70x3 mm |
3、Through-plane |
4、In-plane |
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清华大学ACS Nano设计一种水溶性转移媒介
2016-05-26 化学气相沉积(CVD)方法制备出的二维过渡金属硫化物(TMDCs)的转移方法有两类,一类是化学刻蚀媒介法,该方法操作简单,但刻蚀会严重退化样品的品质,使得其迁移率显著降低;另一类是物理转移媒介法,该方法不需要刻蚀,但是生长过程的高温环境使得衬底和样品接触更强,阻碍了该方法的推广应用。因此,寻找一种无损转移的方法对于TMDCs材料的应用发展是非常重要的。 近日,清华大学化学系焦丽颖等人设计了一种水溶性转移媒介,该媒介有PVP和PVA两种聚合物组成,可以实现CV |
清华大学ACS Nano设计一种水溶性转移媒介 有机化学液相堆积(CVD)方式制取出的二维衔接金属硫化物(TMDCs)的转移方式有两大类,一类是有机化学离子注入媒介法,该方式实际操作简易,但离子注入会比较严重衰退样品的质量,促使其电子密度明显减少;另一类是物理学转移媒介法,该方式不用离子注入,可是生长全过程的高溫自然环境促使衬底和样品触碰更强,阻拦了该方式的应用推广。因而,找寻一种高质量转移的方式针对TMDCs原材料的运用发展趋势是十分关键的。 近日,清华大学化学系焦丽颖等设计方案了一种水溶转移媒介,该媒介有PVP和PVA二种高聚物构成,能够完成CVD TMDCs原材料的高质量转移和层叠。该方式能够用以多种多样衬底的转移,而且能够大批量反复转移,确保样品的原有特性不被衰退。根据试验认证,该方式一样适用别的CVD 生长的二维材料的转移和层叠,而且能够确保原材料的原来品质,针对基础研究和具体运用都具备很高使用价值的适用范围。 【转移基本原理介绍】 这类媒介由PVP和PVA二种高聚物构成,顶层的PVP塑料薄膜以其较强的黏附力和优良的湿润工作能力,做为黏附层,保证和二维TMDCs原材料有适合的触碰。为了更好地提高最底层的湿润工作能力,创作者又提升了一个NVP单个,其表面和二维TMDCs原材料在PVP水溶液中的表面贴近。另外,PVA塑料薄膜做为适用层,固定不动 PVP的样子。这二种高聚物的融合确保了媒介-样品的强触碰和媒介合理的抗压强度,二者对将CVD TMDCs原材料从生长衬底上脱离是尤为重要的。因为,这二种高聚物均为水溶的,转移全过程简易可反复,而且对样品原来特性沒有危害。 【文图分析】 图1 CVD生长的MoS2的转移:(a)运用水溶两层高聚物转移CVD MoS2的步骤平面图;(b,c)CVD MoS2样品转移前后左右的电子光学显微镜成像和AFM成像(插画图片),插画图片比例尺精度:2μm;(d)转移到多孔结构碳网格图上的MoS2片状的TEM成像,插画图片为该样品的高辨别TEM成像,比例尺精度为:2μm;(e,f)d图部位1和部位2的挑选地区电子衍射(SAED)图象。 图2 转移后的单面MoS2的定性分析:(a,b)CVD MoS2转移前后左右的拉曼光谱投射成像;(c,d)MoS2转移前后左右的典型性拉曼光谱分析和光致发光(PL)光谱仪;(e)真空下,由PVP PVA媒介转移的 MoS2片状制取的FET的输运曲线图,从下高于一切,偏压各自为1,10,100,500和100mV,插画图片为元器件的光学图像;(f)各自由PVP PVA 媒介转移(红色方块)和由PMMA媒介转移(蓝色方块)的MoS2-FET的电子密度和电源开关比的较为,从图上,很显著地看得出,由PVP PVA媒介转移的 MoS2的电子密度超过由PMMA媒介转移的MoS2的样品,表明PVP PVA媒介在转移全过程对MoS2的原来品质危害不大。 图3 在不一样衬底上的不一样CVD生长的二维材料的转移:(a,b)CVD生长的1L MoxWyS2样品转移前后左右的电子光学成像;(c,d)CVD生长的MoS2/WS2异质结转移前后左右的电子光学成像;(e,f)CVD生长的MoS2片状在Au/Si衬底和PMMA塑料薄膜上的转移。 【汇总】 焦丽颖等设计方案的由二种高聚物构成的两层水溶媒介,能够完成CVD生长的二维TMDCs原材料的高质量转移和层叠。媒介-样品的强触碰和媒介的水溶可以使CVD生长的二维TMDCs原材料较为非常容易和简约地完成物理学转移。此项工作中促进了二维TMDCs原材料在光学和电子器件行业的运用发展趋势。 【备注名称】 该科研成果最近发布在ACS Nano (IF:12.881) 上,参考文献连接:Universal Transfer and Stacking of Chemical Vapor Deposition Grown Two-Dimensional Atomic Layers with Water-Soluble Polymer Mediator (DOI: 10.1021/acsnano.6b00961) 来源于:材料牛 |
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